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特别报道

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)谁是宽禁带(WBG)材料的未来?

以GaN和SiC为代表第三代半导体正处于高速发展的阶段,Si和GaAs等第一、二代半导体材料也仍在产业中大规模应用。但不可否认,第三代半导体确实具有更多的性能优势。

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  • 10月11日
  • 09月10日
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时间:2021年11月25日 10:00
时间:2021年10月22日 14:00
时间:2021年10月21日 10:00

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